Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 250V 120A 480W TO268HV | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 120A 480W TO268HV | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 120A 480W TO268HV | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 250V 120A 480W TO268HV

IXFT120N25X3HV
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
95,51 lei
78,93 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXFT120N25X3HV este un N-MOSFET unipolar de înaltă performanță, proiectat pentru a oferi o soluție fiabilă și eficientă în aplicațiile cu cerințe ridicate de putere. Fabricat de către IXYS, acest tranzistor se remarcă prin montarea sa de tip SMD, care îl face ușor de integrat în diverse dispozitive electronice.

Carcasa TO268HV oferă o disipare eficientă a căldurii, permițând tranzistorului să funcționeze la puterea maximă de 480W fără probleme. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 12mΩ, acest N-MOSFET poate gestiona un curent de drenaj de până la 120A la o tensiune de drenaj-sursă de 250V.

Subtipul canalului îmbogățit și caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class asigură performanțe superioare și o durată lungă de viață a dispozitivului. De asemenea, încărcătura poartă de 122nC și timpul de restabilire rapid de 140ns fac acest tranzistor ideal pentru aplicații sensibile la timp.

În concluzie, Tranzistorul IXFT120N25X3HV este alegerea perfectă pentru cei care caută un dispozitiv puternic, fiabil și eficient pentru aplicațiile lor electronice.
Detalii
IXFT120N25X3HV

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
480W
Montare
SMD
Carcasă
TO268HV
Caracteristici elemente semiconductoare
ultra junction x-class
Polarizare
unipolar
Curent drenă
120A
Tensiune drenă-sursă
250V
Rezistenţă în timpul funcţionării
12mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
122nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
140ns

Coduri specifice

cod UPC
594954221807
cod EAN13
5943610118145
Cod MPN
IXFT120N25X3HV
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,32A 2W SOT223 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: ZVNL120GTA

Marca: DIODES INCORPORATED

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,32A 2W SOT223 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,32A; 2W; SOT223
11,04 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,32A 2W SOT223 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc