Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET GigaMOS 40V 600A 830W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET GigaMOS 40V 600A 830W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET GigaMOS 40V 600A 830W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET GigaMOS 40V 600A 830W Tranzistor

MMIX1T600N04T2
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
305,46 lei
252,45 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET GigaMOS™ unipolar 40V 600A Idm: 2kA 830W, MMIX1T600N04T2 de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică. Acest tranzistor are o putere disipată impresionantă de 830W și poate suporta un curent de drenă în impuls de până la 2kA. Cu o polarizare unipolară și un curent de drenă de 600A, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și consistente.

Cu o tensiune drenă-sursă de 40V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Tehnologia TrenchT2™ asigură o funcționare eficientă și fiabilă, iar rezistența în timpul funcționării de 1.3mΩ îl face ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță.

Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 590nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră de putere. Cu un timp de restabilire rapid de 100ns, acest tranzistor oferă performanțe de vârf într-un pachet compact și ușor de montat SMD. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET GigaMOS™ de la IXYS pentru rezultate remarcabile în proiectele dumneavoastră de electronică.
Detalii
MMIX1T600N04T2

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Putere disipată
830W
Montare
SMD
Carcasă
SMPD
Curent de drenă în impuls
2kA
Polarizare
unipolar
Curent drenă
600A
Tensiune drenă-sursă
40V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,3mΩ
1.3mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
590nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
100ns
Tehnologie
GigaMOS™
TrenchT2™

Coduri specifice

cod UPC
594032918827
cod EAN13
5941341546824
Cod MPN
MMIX1T600N04T2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 1,7A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compo

Cod: IRFR210PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 1,7A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1,7A; 25W; DPAK,TO252
7,04 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 1,7A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 9A 63W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMO11N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 9A 63W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
4,09 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 9A 63W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc