• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 89A 370W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 89A 370W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 89A 370W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 89A 370W

MSC015SMA070S
Microchip
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W
207,13 lei
171,18 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 89A Idm: 315A 370W, MSC015SMA070S de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații electronice avansate. Cu o putere disipată de 370W și o rezistență în timpul funcționării de doar 19mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență remarcabilă și fiabilitate pe termen lung.

Montat în format SMD și având o carcasă D3PAK, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse configurații de circuite electronice. Tehnologia avansată SiC asigură o performanță superioară și o durată lungă de viață a dispozitivului.

Cu un curent de drenă în impuls de 315A și un curent drenă de 89A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere ridicate fără probleme. Tensiunea drenă-sursă de 700V și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și eficientă.

Încărcătura poartă de 215nC și tipul N-MOSFET fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiectele care necesită un control precis al curentului și tensiunii. Cu MICROCHIP (MICROSEMI) ca producător de încredere, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui tranzistor de înaltă calitate.
Detalii
MSC015SMA070S

Fisa tehnica

Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
370W
Montare
SMD
Carcasă
D3PAK
Curent de drenă în impuls
315A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
89A
Tensiune drenă-sursă
700V
Rezistenţă în timpul funcţionării
19mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
215nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594850379909
cod EAN13
5945298465627
Cod MPN
MSC015SMA070S
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 4,9A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compon

Cod: IRFR014PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 4,9A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4,9A; 25W; DPAK,TO252
6,04 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 4,9A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 450V 0,6A 3W SOT223 ESD - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compon

Cod: STN3N45K3

Marca: STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 450V 0,6A 3W SOT223 ESD - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0,6A; 3W; SOT223; ESD
7,78 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 450V 0,6A 3W SOT223 ESD - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 Unipolar 520V 6A Idm 24A 71W - Componentă Electronică Performantă | Electronic-mag.ro | Component

Cod: P6B52HP2-5071

Marca: SHINDENGEN

Tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 Unipolar 520V 6A Idm 24A 71W - Componentă Electronică Performantă

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 520V; 6A; Idm: 24A; 71W
6,21 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 Unipolar 520V 6A Idm 24A 71W - Componentă Electronică Performantă
In stoc
Tranzistor N-MOSFET unipolar PDFN5060-8 - Componentă semiconductoare de înaltă performanță pentru aplicații electronice | Electr
6,93 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET unipolar PDFN5060-8 - Componentă semiconductoare de înaltă performanță pentru aplicații electronice
In stoc