Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 115W

Tranzistorul UnitedSiC N-JFET/N-MOSFET SiC unipolar în cascadă 650V 115W, UJ3C065080B3 este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia avansată SiC, care oferă o performanță superioară și o durabilitate îmbunătățită. Carcasa D2PAK și montarea SMD fac instalarea ușoară și eficientă.

Cu caracteristici elemente semiconductoare ESD protejate, acest tranzistor asigură o protecție excelentă împotriva descărcărilor electrostatice, menținând în același timp o funcționare stabilă și fiabilă. Puterea disipată de 115W și curentul de drenă în impuls de 65A permit utilizarea în aplicații cu cerințe ridicate de putere și performanță.

Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 18.2A îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații, iar tensiunea drenă-sursă de 650V și tensiunea poartă-sursă de ±25V asigură o funcționare stabilă și eficientă. Rezistența în timpul funcționării de 80mΩ și încărcătura poartă de 51nC contribuie la o performanță optimă în condiții de utilizare diverse.

Cu un tip de tranzistor N-JFET/N-MOSFET și subtip în cascadă, acest produs oferă flexibilitate și fiabilitate în proiectele electronice. Fiind produs de UnitedSiC, acest tranzistor se bucură de standarde ridicate de calitate și performanță, fiind alegerea ideală pentru aplicațiile care necesită un tranzistor de înaltă performanță.