• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 600V 19A 219W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 19A 219W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 19A 219W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 19A 219W TO247-3

APT30N60BC6
Microchip
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
67,57 lei
55,84 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 19A Idm: 89A 219W TO247-3 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un dispozitiv de înaltă performanță, ideal pentru aplicații electronice exigente. Cu o putere disipată impresionantă de 219W, acest tranzistor oferă o fiabilitate excelentă în funcționare. Curentul de drenă în impuls de 89A asigură o funcționare eficientă și sigură, iar tensiunea drenă-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit o gamă variată de aplicații.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,125Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare și o durată lungă de viață. Încărcătura poartă de 88nC și tehnologia CoolMOS™ fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru proiectele care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Cu o montare THT și o carcasă TO247-3, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite dispozitive electronice.

Indiferent de aplicația dvs., Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 19A Idm: 89A 219W TO247-3 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Detalii
APT30N60BC6

Fisa tehnica

Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
219W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
89A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
19A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,125Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
88nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™

Coduri specifice

cod EAN13
5944330206792
Cod MPN
APT30N60BC6
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: