• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 650V 45A 410W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 650V 45A 410W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 650V 45A 410W

WMJ80N65F2-CYG
Wayo
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
97,83 lei
80,85 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ F2 unipolar de 650V 45A Idm: 245A 410W este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici remarcabile. Producătorul WAYON garantează performanțe excelente și durabilitate de lungă durată. Acest tranzistor este ambalat într-un tub și poate fi montat prin găurire pe componentele electronice existente. Carcasa TO247-3 oferă o protecție optimă împotriva factorilor externi.

Cu o putere disipată de 410W, acest tranzistor poate face față cu succes unor sarcini intensive și poate funcționa fără probleme în diverse aplicații. Curentul de drenă în impuls de 245A asigură o funcționare stabilă și eficientă, iar polarizarea unipolară face acest tranzistor ideal pentru diferite tipuri de circuite.

Cu un curent de drenă de 45A și o tensiune drenă-sursă de 650V, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini mari și poate fi utilizat în diferite aplicații industriale și comerciale. Tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare sigură și fiabilă în diferite condiții de mediu.

Rezistența în timpul funcționării de 37mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii și o funcționare fără probleme în diverse aplicații. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 26,2nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiectele care necesită performanțe ridicate și fiabilitate.

Cu un timp de restabilire de 190ns și tehnologia inovatoare WMOS™ F2, acest tranzistor este proiectat pentru a satisface cerințele cele mai exigente ale pieței electronice. Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ F2 este alegerea perfectă pentru performanță și fiabilitate.
Detalii
WMJ80N65F2-CYG

Fisa tehnica

Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
410W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
245A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
45A
Tensiune drenă-sursă
650V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
37mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
26,2nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
190ns
Tehnologie
WMOS™ F2

Coduri specifice

cod UPC
594027225589
cod EAN13
5945980516088
Cod MPN
WMJ80N65F2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: