Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET SiC 1.2kV 8A 74W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1.2kV 8A 74W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 1.2kV 8A 74W

G3R350MT12D
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
33,96 lei
28,07 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 8A Idm: 16A 74W de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe excelente în aplicații electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub durabil și este montat utilizând tehnologia THT pentru o instalare ușoară. Carcasa TO247-3 oferă o protecție suplimentară și o disipare eficientă a căldurii, permițând o putere maximă de 74W.

Cu o tensiune de drenaj-sursă de 1,2kV și un curent de drenaj de 8A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de până la 16A în impulsuri. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de -5...15V fac acest tranzistor ideal pentru aplicații de comutare și amplificare. Rezistența redusă în timpul funcționării de 0,35Ω asigură o eficiență optimă a dispozitivului.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 12nC, acest tranzistor N-MOSFET este perfect pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și precisă. Tehnologia inovatoare SiC și G3R™ oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Cu Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 8A Idm: 16A 74W de la GeneSiC SEMICONDUCTOR, veți obține rezultate remarcabile în proiectele dvs. electronice.
Detalii
G3R350MT12D

Fisa tehnica

Producător
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
74W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
16A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
8A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-5...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,35Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
12nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
G3R™
SiC

Coduri specifice

cod EAN13
5949323173679
Cod MPN
G3R350MT12D
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ M3 Unipolar 800V 5A 50W TO220-3 - Componentă Electronică de Mare Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMK06N80M3-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ M3 Unipolar 800V 5A 50W TO220-3 - Componentă Electronică de Mare Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
8,25 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ M3 Unipolar 800V 5A 50W TO220-3 - Componentă Electronică de Mare Performanță
In stoc