• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A 101W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A 101W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A 101W

IPW80R280P7
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10,6A; 101W; PG-TO247-3
35,42 lei
29,27 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub PG-TO247-3 și poate fi montat în mod tradițional. Cu o putere disipată de 101W, acest dispozitiv este ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o poartă protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD), ceea ce îl face fiabil și durabil în timpul utilizării. Polarizarea unipolară și curentul de drenare de 10,6A îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o tensiune drenaj-sursă de 800V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în condiții de lucru variate. Rezistența în timpul funcționării de 0,28Ω asigură o conducție eficientă a curentului, în timp ce subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 36nC îl fac ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare.

Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia CoolMOS™ P7, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o eficiență ridicată și o fiabilitate excelentă. Cu o gamă largă de caracteristici și specificații impresionante, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii
IPW80R280P7

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
101W
Montare
THT
Carcasă
PG-TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
10,6A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,28Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
36nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™ P7

Coduri specifice

cod UPC
594192624620
cod EAN13
5946456906358
Cod MPN
IPW80R280P7XKSA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO251 - Componentă Electronică Profesională | Electronic-mag.ro | Componente E

Cod: WMP09N65C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO251 - Componentă Electronică Profesională

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251
7,57 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO251 - Componentă Electronică Profesională
Ultimele produse in stoc