• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Trench 100V 160A 430W TO220AB Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Trench 100V 160A 430W TO220AB Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Trench 100V 160A 430W TO220AB Tranzistor

IXTP160N10T
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
45,13 lei
37,30 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Trench™ unipolar 100V 160A 430W TO220AB de la IXYS este un dispozitiv de semiconductoare de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică.

Cu un subtip de ambalaj tub și montare THT, carcasa TO220AB asigură o disipare eficientă a puterii de până la 430W. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor asigură o funcționare fiabilă și constantă. Cu o curent drenă de 160A și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari în mod eficient.

Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 7mΩ asigură o comutare rapidă și precisă a dispozitivului. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 132nC fac ca acest tranzistor să fie ideal pentru aplicații de putere.

Cu un timp de restabilire rapid de 60ns și tehnologia Trench™ inovatoare, acest tranzistor oferă performanțe superioare și eficiență în aplicațiile tale electronice. Alege tranzistorul N-MOSFET Trench™ de la IXYS pentru fiabilitate și performanțe neegalate în proiectele tale.
Detalii
IXTP160N10T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
430W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
160A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
7mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
132nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
60ns
Tehnologie
Trench™

Coduri specifice

cod EAN13
5943945427127
Cod MPN
IXTP160N10T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMN09N65C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262
4,55 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 45W TO262 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc