Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 800V 8.4A 183W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 8.4A 183W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 8.4A 183W

WMJ80R350S-CYG
Wayo
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8,4A; Idm: 56A; 183W
47,47 lei
39,23 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ S unipolar 800V 8,4A Idm: 56A 183W este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare ridicată. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale tehnice de top, precum carcasa TO247-3 durabilă și montarea pe plăci cu găuri. Cu o tensiune drenă-sursă de 800V și o rezistență în timpul funcționării de doar 0,33Ω, acest tranzistor asigură un flux de curent stabil și eficient. De asemenea, subtipul său de canal îmbogățit și tehnologia WMOS™ S îl fac potrivit pentru o gamă variată de aplicații industriale și comerciale. Cu o încărcătură de poartă de 31nC și un curent de drenă de 8,4A, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Detalii
WMJ80R350S-CYG

Fisa tehnica

Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
183W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
56A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
8,4A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,33Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
31nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ S

Coduri specifice

cod EAN13
5941996658309
Cod MPN
WMJ80R350S
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: