Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este un produs de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 200V și poate gestiona un curent drenă de până la 48A, având o putere disipată impresionantă de 250W. Caracteristicile elementelor semiconductoare și rezistența în timpul funcționării de 50mΩ asigură o funcționare eficientă și fiabilă.
Cu un subtip de canal îmbogățit și o polarizare unipolară, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a semnalelor. Montarea THT și carcasă TO220AB facilitează instalarea și asigură o disipare optimă a căldurii. Încărcătura poartă de 60nC și timpul de restabilire de 130ns completează caracteristicile impresionante ale acestui tranzistor N-MOSFET.
Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. care necesită o performanță de vârf și o durabilitate remarcabilă. Alegeți calitatea și fiabilitatea cu acest tranzistor de înaltă calitate de la IXYS!
Detalii
IXTP48N20T
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
250W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare
thrench gate power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
48A
Tensiune drenă-sursă
200V
Rezistenţă în timpul funcţionării
50mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
60nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
130ns
Coduri specifice
cod EAN13
5943453411939
Cod MPN
IXTP48N20T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.