• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
N-MOSFET Unipolar 600V 10A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 600V 10A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 600V 10A 200W TO220AB

IXTP10N60P
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
38,44 lei
31,77 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar de 600V 10A 200W TO220AB 500ns este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații de putere medie și mare. Acesta are o carcasă TO220AB, care asigură o montare ușoară și sigură. Cu o putere disipată de 200W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de putere semnificative.

Caracteristicile elementelor semiconductoare standard power mosfet îi conferă o funcționare eficientă și fiabilă. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru aplicații de comutare și control de putere. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,74Ω, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în condiții de sarcină variabilă.

Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura de poartă de 32nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare. Timpul de restabilire rapid de 0,5µs asigură o funcționare precisă și fiabilă în aplicațiile cu cerințe stricte de timp.

În concluzie, tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar de 600V 10A 200W TO220AB 500ns este o soluție excelentă pentru aplicații de putere medie și mare, oferind performanță și fiabilitate superioare.
Detalii
IXTP10N60P

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
200W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare
standard power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
10A
Tensiune drenă-sursă
600V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,74Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
32nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
0,5µs

Coduri specifice

cod UPC
594396623122
cod EAN13
5941056206693
Cod MPN
IXTP10N60P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 400V 1,2A 36W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componen

Cod: IRF710PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 400V 1,2A 36W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1,2A; 36W; TO220AB
7,76 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 400V 1,2A 36W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc