• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 600V 12A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 12A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 12A 150W

STP24N60M2
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
28,21 lei
23,31 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ Plus unipolar 600V 12A 150W de la STMicroelectronics este un dispozitiv de semiconductori puternic și fiabil, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o performanță excelentă. Acest tranzistor beneficiază de o serie de caracteristici remarcabile, precum protecția împotriva electrostatică a porții, o polarizare unipolară, o tensiune drenă-sursă de 600V și o curent drenă de 12A.

Carcasa TO220-3 și tehnologia MDmesh™ asigură o disipare eficientă a puterii de până la 150W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații exigente. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 0,19Ω, acest tranzistor N-MOSFET oferă o performanță excelentă și o fiabilitate de neegalat.

Datorită subtipului de canal îmbogățit și tensiunii poartă-sursă de ±25V, acest tranzistor este perfect pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a semnalului. În plus, montarea THT și ambalajul sub formă de tub fac instalarea și integrarea acestui tranzistor în proiectele dvs. o sarcină simplă și rapidă.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ Plus unipolar 600V 12A 150W de la STMicroelectronics este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o putere mare, o performanță excelentă și o fiabilitate de încredere. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate și bucurați-vă de rezultate remarcabile în aplicațiile dvs. electronice.
Detalii
STP24N60M2

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
150W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
12A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,19Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
MDmesh™

Coduri specifice

cod UPC
594433411729
cod EAN13
5945751785880
Cod MPN
STP24N60M2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,12A 0,5W TO92 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: BS107PSTZ

Marca: DIODES INCORPORATED

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,12A 0,5W TO92 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,12A; 0,5W; TO92
8,52 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,12A 0,5W TO92 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 26W TO220FP - Componentă Electronică de Înalte Performanțe | Electronic-mag.ro | C

Cod: WML09N65C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 26W TO220FP - Componentă Electronică de Înalte Performanțe

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 26W; TO220FP
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 650V 6A 26W TO220FP - Componentă Electronică de Înalte Performanțe
Stoc epuizat