• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 100V 60A 176W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 60A 176W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 60A 176W TO220AB

IXTP60N10T
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
20,59 lei
17,02 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a oferi o putere de disipare de 176W. Acesta este montat într-un ambalaj TO220AB, iar caracteristicile sale semiconductoare îl fac ideal pentru aplicații de putere cu poarta în tranșee. Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj de până la 60A și o tensiune de drenaj-sursă de 100V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 18mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în aplicațiile sale. Cu un timp de restabilire rapid de 59ns, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită comutare rapidă și performanță fiabilă. Este un tranzistor N-MOSFET cu canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 49nC, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de putere care necesită o comutare rapidă și o performanță de încredere.
Detalii
IXTP60N10T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
176W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare
thrench gate power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
60A
Tensiune drenă-sursă
100V
Rezistenţă în timpul funcţionării
18mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
49nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
59ns

Coduri specifice

cod UPC
594654910308
cod EAN13
5947078314927
Cod MPN
IXTP60N10T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: