Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 100V 50A 51W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 50A 51W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 50A 51W

P50F10SN-5600
SHINDENGEN
Tranzistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
13,94 lei
11,52 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET EETMOS3 unipolar 100V 50A Idm: 200A 51W de la producătorul SHINDENGEN este un produs de încredere, cu o gamă largă de caracteristici tehnice. Acesta este ambalat în vrac și montat pe tehnologia THT, având o carcasă FTO-220AG (SC91). Cu o putere disipată de 51W și un curent de drenă în impuls de 200A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o performanță ridicată. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 50A îl fac potrivit pentru diverse utilizări. Tensiunea drenă-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și fiabilă. Rezistența în timpul funcționării de 8,7mΩ și subtipul canal îmbogățit îl fac un produs de calitate superioară. Cu o încărcătură de poartă de 114nC, acest tranzistor N-MOSFET este potrivit pentru aplicații variate care necesită o comutare rapidă și eficientă.
Detalii
P50F10SN-5600

Fisa tehnica

Producător
SHINDENGEN
Subtip ambalaj
în vrac
Putere disipată
51W
Montare
THT
Carcasă
FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls
200A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
50A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
8,7mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
114nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
EETMOS3

Coduri specifice

cod EAN13
5941664009907
Cod MPN
P50F10SN-5600
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: