• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 100V 100A 118W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 100A 118W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 100A 118W TO220-3

CSD19534KCS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
14,48 lei
11,97 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 100A 118W TO220-3, produs de TEXAS INSTRUMENTS, este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO220-3 și se montează prin tehnologia THT. Cu o putere disipată de 118W, acesta este ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 100A fac din acest tranzistor o alegere fiabilă și durabilă.

Tensiunea drenaj-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă flexibilitate în designul circuitelor. Rezistența redusă în timpul funcționării de 13,7mΩ asigură eficiență și performanță superioară. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 16,4nC optimizează comutarea tranzistorului.

Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia NexFET™ de la TEXAS INSTRUMENTS, oferind fiabilitate și performanță de top. Grosimea radiatorului de 1,14...1,4mm asigură o disipare eficientă a căldurii, protejând astfel tranzistorul împotriva supraincalzirii.

Cu Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 100A 118W TO220-3 de la TEXAS INSTRUMENTS, puteți conta pe o soluție de înaltă calitate și performanță pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii
CSD19534KCS

Fisa tehnica

Producător
TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
118W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
100A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
13,7mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
16,4nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
NexFET™
Grosime radiator
1,14...1,4mm

Coduri specifice

cod EAN13
5946204492331
Cod MPN
CSD19534KCS
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: