Tranzistor N-MOSFET 30V 112A STripFET™ H6

Tranzistorul N-MOSFET STripFET™ H6 unipolar 30V 112A Idm: 480A, produs de STMicroelectronics, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare mare. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj tub și se montează pe placa de circuit utilizând tehnologia de montare THT. Carcasa TO220-3 oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi.

Cu o putere de disipare de 136W, acest tranzistor poate face față unor sarcini de curent de drenă în impuls de până la 480A. Polarizarea unipolară și un curent de drenă de 112A îl fac potrivit pentru diverse aplicații industriale și comerciale. Tensiunea drenă-sursă de 30V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și fiabilă a dispozitivului.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 4,2mΩ, acest tranzistor N-MOSFET oferă o performanță excelentă în condiții de lucru intense. Subtipul de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 42nC asigură o comutare rapidă și eficientă a dispozitivului.

Cu un design inovator și tehnologia STripFET™ H6, acest tranzistor este un instrument deosebit de util în proiectele care necesită o soluție electronică de încredere și performantă.