Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor are o putere disipată de 125W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 200V, acest tranzistor poate gestiona o gamă largă de aplicații cu ușurință.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,27Ω, acest tranzistor asigură o conducere eficientă a curentului, fără a se supraîncălzi. Subtipul canalului este îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță. De asemenea, tranzistorul are o încărcătură de poartă de 66nC, asigurând o comutare rapidă și precisă.
Montat într-un ambalaj TO220AB și cu o tensiune poartă-sursă de ±10V, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite tipuri de circuite electronice. Cu o curent drenă de 11A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de curent semnificative în mod eficient. În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este o alegere excelentă pentru aplicațiile electronice care necesită performanțe ridicate și fiabilitate.
Detalii
IRL640PBF
Fisa tehnica
Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
125W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
11A
Tensiune drenă-sursă
200V
Tensiune poartă-sursă
±10V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,27Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
66nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Coduri specifice
cod EAN13
5946160027479
Cod MPN
IRL640PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.