• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET 100V 42A 160W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 100V 42A 160W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 100V 42A 160W TO220AB

IRF1310NPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
16,93 lei
13,99 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 42A 160W TO220AB, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor este montat într-un ambalaj tub TO220AB, cu o putere disipată impresionantă de 160W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere medie și mare.

Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor oferă o performanță fiabilă și durabilă. Curentul de drenare este de 42A, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V, asigurând o funcționare stabilă și eficientă. Rezistența în timpul funcționării este de 36mΩ, iar subtipul canalului este îmbogățit, ceea ce optimizează performanța dispozitivului.

Cu o încărcătură poartă de 73,3nC, acest tranzistor N-MOSFET este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare și putere. Tehnologia HEXFET® asigură o funcționare eficientă și fiabilă a dispozitivului, oferind performanțe superioare în diverse aplicații.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 42A 160W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru proiectele care necesită o combinație perfectă între putere, performanță și fiabilitate. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate și beneficiați de performanțe remarcabile în aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii
IRF1310NPBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
160W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
42A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
36mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
73,3nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod UPC
594207816231
cod EAN13
5941350133633
Cod MPN
IRF1310NPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: