Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 800V 1.89A 25W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 1.89A 25W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 1.89A 25W TO220FP

STP4NK80ZFP
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,89A; 25W; TO220FP
11,71 lei
9,68 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,89A 25W TO220FP, produs de STMicroelectronics, este un dispozitiv electronic de mare putere, potrivit pentru diverse aplicații industriale și comerciale. Subtipul ambalajului este tub, iar montarea se face prin tehnologia THT. Carcasa TO220FP oferă o putere disipată de 25W, asigurând o funcționare eficientă și fiabilă.

Acest tranzistor beneficiază de caracteristici esențiale ale elementelor semiconductoare, cum ar fi poarta protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD). Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 1,89A îl fac potrivit pentru aplicații specifice care necesită o funcționare constantă și sigură.

Cu o tensiune drenă-sursă de 800V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor oferă performanțe ridicate și fiabilitate în diverse condiții de funcționare. Rezistența în timpul funcționării de 3,5Ω îl face ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere și performanță.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET, beneficiind de tehnologia inovatoare SuperMesh™. Cu aceste caracteristici de vârf, tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,89A 25W TO220FP este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită fiabilitate și performanță superioare.
Detalii
STMicroelectronics
STP4NK80ZFP

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
25W
Montare
THT
Carcasă
TO220FP
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1,89A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
3,5Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SuperMesh™

Coduri specifice

cod EAN13
5949341938083
Cod MPN
STP4NK80ZFP
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: IRFD210PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,38A; 1W; DIP4
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat