• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET POWER MOS 5 unipolar 1kV 21A Idm 84A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET POWER MOS 5 unipolar 1kV 21A Idm 84A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET POWER MOS 5 unipolar 1kV 21A Idm 84A

APT10050LVRG
Microchip
Tranzistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
296,01 lei
244,64 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Descoperiți puterea și versatilitatea tranzistorului N-MOSFET POWER MOS 5 de la Microchip, un component esențial pentru aplicațiile electronice de înaltă performanță. Acest tranzistor unipolar, cu o carcasă robustă TO264, este proiectat pentru a face față cerințelor riguroase ale sistemelor moderne.

Cu o tensiune drenă-sursă impresionantă de 1kV și un curent de drenă continuu de 21A, acest dispozitiv este ideal pentru aplicații de putere în care stabilitatea și eficiența sunt cruciale. Capacitatea sa de a gestiona curentul în impuls de până la 84A îl face perfect pentru circuite care necesită performanțe sporite. Puterea disipată de 520W asigură un management termic optim, protejând componentele din jur.

Datorită tehnologiei avansate POWER MOS 5®, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de doar 0,5Ω, minimizând pierderile de energie și maximizând eficiența sistemului. Cu o polarizare unipolară și o tensiune poartă-sursă de ±30V, utilizatorii pot beneficia de o flexibilitate crescută în proiectare.

Încărcătura poartă de 500nC și subtipul canal îmbogățit contribuie la viteza rapidă de comutare, esențială în aplicațiile moderne. Alegeți tranzistorul N-MOSFET POWER MOS 5 de la Microchip pentru soluții electronice fiabile și performante!
Detalii
APT10050LVRG

Fisa tehnica

Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
520W
Montare
THT
Carcasă
TO264
Curent de drenă în impuls
84A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
21A
Tensiune drenă-sursă
1kV
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,5Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
500nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
POWER MOS 5®

Coduri specifice

cod EAN13
5949082739147
Cod MPN
APT10050LVRG
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: