• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 36A TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 36A TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 36A TO247-3

C2M0080120D
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
221,65 lei
183,18 lei Fara TVA
Cantitate
Ultimele produse in stoc

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 36A TO247-3 de la Wolfspeed (CREE) reprezintă o soluție avansată pentru aplicațiile de putere, oferind performanțe excepționale și fiabilitate. Proiectat pentru montare prin tehnologia THT, acest tranzistor se evidențiază prin carcasa robustă TO247-3, care asigură o disipare eficientă a căldurii, având o putere disipată de până la 208W.

Cu un curent drenă maxim de 36A și o tensiune drenă-sursă de 1,2kV, acest dispozitiv este ideal pentru aplicații care necesită gestionarea eficientă a energiei. Polarizarea unipolară și rezistența în timpul funcționării de doar 80mΩ contribuie la optimizarea performanței, reducând pierderile de energie și îmbunătățind eficiența generală a circuitului.

Tensiunea poartă-sursă variabilă între -10 și 25V, împreună cu o încărcătură poartă de 62nC, facilitează integrarea ușoară în diverse configurații. Subtipul canal îmbogățit și tehnologia avansată SiC, precum și Z-FET™, oferă timpi de restabilire rapizi de 32ns, astfel încât tranzistorul să răspundă prompt la schimbările de semnal.

Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 36A TO247-3 Wolfspeed pentru a beneficia de tehnologie de vârf în soluțiile dumneavoastră electronice, asigurându-vă performanță și fiabilitate în cele mai exigente medii de operare.
Detalii
C2M0080120D

Fisa tehnica

Producător
Wolfspeed(CREE)
Putere disipată
208W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
36A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-10...25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
80mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
62nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
32ns
Tehnologie
SiC
Z-FET™

Coduri specifice

cod EAN13
5942604281025
Cod MPN
C2M0080120D
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: