Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 45A DIOTEC SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicații de putere înalte, oferind performanțe remarcabile în condiții exigente. Fabricat de DIOTEC SEMICONDUCTOR, acest tranzistor este proiectat pentru montare THT, având o carcasă TO247-3 care asigură o integrare ușoară în diverse aplicații electronice. Cu o putere disipată de 416W și un curent de drenă de 45A, acest model oferă o capacitate de suportare a impulsurilor de până la 140A, fiind perfect pentru circuite care necesită un control precis.
Tensiunea drenă-sursă atinge 1,7kV, ceea ce permite utilizarea sa în medii cu tensiuni ridicate, iar tensiunea poartă-sursă variind între -5 și 20V asigură flexibilitate în operare. Rezistența în timpul funcționării de 28mΩ contribuie la eficiența energetică, reducând pierderile de putere. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 80nC facilitează un răspuns rapid și o comutare eficientă. Cu tehnologia avansată SiC, acest tranzistor N-MOSFET se dovedește a fi alegerea perfectă pentru inginerii care caută fiabilitate și performanță de vârf în proiectele lor.
Detalii
DIW170SIC070-DIO
Fisa tehnica
Producător
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
416W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
140A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
45A
Tensiune drenă-sursă
1,7kV
Tensiune poartă-sursă
-5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
28mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
80nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Coduri specifice
cod EAN13
5944578348605
Cod MPN
DIW170SIC070
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.