• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12,6A; 35W
  • Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12,6A; 35W

Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ 600V 12,6A 35W STMicroelectronics

STF26NM60N
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12,6A; 35W
36,47 lei
30,14 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ 600V 12,6A 35W STMicroelectronics reprezintă o soluție avansată pentru aplicațiile de putere care necesită eficiență și fiabilitate. Proiectat de STMicroelectronics, acest tranzistor cu montare THT și carcasă TO220FP oferă o putere disipată de 35W, fiind ideal pentru utilizări în medii exigente.

Cu un curent drenă de 12,6A și o tensiune drenă-sursă de 600V, acest dispozitiv asigură performanțe superioare, iar tehnologia MDmesh™ optimizează eficiența energetică, reducând pierderile de putere. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de ±30V facilitează integrarea în diverse circuite, iar rezistența în timpul funcționării de doar 135mΩ garantează o conductivitate excelentă.

Subtipul canal îmbogățit asigură o performanță stabilă și consistentă, făcând din acest tranzistor o alegere perfectă pentru aplicații industriale, surse de alimentare, convertoare de frecvență și alte soluții de putere. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ pentru a beneficia de cele mai bune tehnologii disponibile pe piață.
Detalii
STF26NM60N

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
35W
Montare
THT
Carcasă
TO220FP
Polarizare
unipolar
Curent drenă
12,6A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
135mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
MDmesh™

Coduri specifice

cod EAN13
5947681311887
Cod MPN
STF26NM60N
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: