Tranzistor N-MOSFET IXYS 650V 8A 150W TO220AB

Tranzistor N-MOSFET IXYS 650V 8A 150W TO220AB este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații de putere și comutare. Fabricat de renumitul producător IXYS, acest tranzistor N-MOSFET se remarcă printr-o putere disipată de 150W și un curent drenă de 8A, oferind astfel o soluție fiabilă pentru cerințe de sarcină ridicată.

Proiectat cu montare THT (Through-Hole Technology) și într-o carcasă robustă TO220AB, acest produs garantează o integrare ușoară în diverse aplicații electronice. Cu o tensiune drenă-sursă de 650V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, tranzistorul permite operarea la niveluri de tensiune semnificative, asigurând performanțe excelente în condiții de utilizare variate.

Rezistența în timpul funcționării de 0,45Ω și timpul de restabilire de 105ns contribuie la eficiența energetică și la viteza de comutare, fiind potrivit pentru aplicații care necesită rapiditate și precizie. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 11nC îl fac ideal pentru aplicații de înaltă frecvență, iar tehnologiile avansate HiPerFET™ și X2-Class asigură o performanță superioară.

Alege Tranzistor N-MOSFET IXYS 650V 8A 150W TO220AB pentru soluții electronice de încredere și performante!