Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 90A 542W G3R20MT12K

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 90A Idm: 240A 542W, G3R20MT12K de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este o soluție de vârf în domeniul electronicii. Cu o putere disipată de 542W și un curent de drenă în impuls de 240A, acest tranzistor oferă performanțe deosebite. Carcasa TO247-4 și tehnologia SiC asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Cu caracteristici precum terminalul Kelvin, rezistența în timpul funcționării de 20mΩ și subtipul canal îmbogățit, acest tranzistor se remarcă prin calitate și durabilitate. Polarizarea unipolară, curentul de drenă de 90A și tensiunea drenă-sursă de 1.2kV fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră. Cu o încărcătură de poartă de 219nC și tensiunea poartă-sursă cuprinsă între -5 și 15V, acest tranzistor se adaptează perfect nevoilor dumneavoastră. Cu montare THT și subtipul ambalaj în tub, acest tranzistor este ușor de integrat în proiectele dumneavoastră. Alegeți performanță și fiabilitate cu Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la GeneSiC SEMICONDUCTOR!