N-MOSFET SiC 1.2kV 50A 333W G3R40MT12D

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar cu tensiune de 1,2kV și curent de 50A Idm: 140A 333W, G3R40MT12D de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este o alegere excelentă pentru aplicațiile dvs. de electronică. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa de ultimă generație SiC, care îi conferă o putere de disipare de 333W și o rezistență în timpul funcționării de 40mΩ. Cu o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

Cu o tensiune drenă-sursă de 1.2kV și un curent de drenă în impuls de 140A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o putere mare și o eficiență ridicată. Carcasa TO247-3 și montarea THT facilitează integrarea acestui tranzistor în diferite tipuri de dispozitive electronice.

Tensiunea poartă-sursă variabilă între -5 și 15V oferă flexibilitate în controlul tranzistorului, iar încărcătura poartă de 106nC asigură o comutare rapidă și precisă a dispozitivului. Cu un tip de tranzistor N-MOSFET, acest produs este ideal pentru aplicații de putere care necesită o performanță de vârf.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. de electronică care necesită o combinație de putere, eficiență și fiabilitate. Optați pentru acest tranzistor și obțineți performanțe superioare în aplicațiile dvs. industriale sau comerciale.