Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET SiC 1,7kV 43A 438W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1,7kV 43A 438W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1,7kV 43A 438W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 1,7kV 43A 438W

G3R45MT17D
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
196,75 lei
162,60 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 43A Idm: 160A 438W, G3R45MT17D de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Cu o putere disipată de 438W, acest tranzistor asigură performanțe remarcabile în condiții de funcționare intense. Montarea sa THT și carcasa TO247-3 îl fac ușor de integrat în diverse sisteme. Tehnologia SiC îi conferă fiabilitate și eficiență sporită, iar subtipul de ambalaj tub îl protejează de factorii externi. Cu o tensiune drenă-sursă de 1.7kV și un curent de drenă de 43A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de -5...15V îl fac versatil și ușor de controlat. Rezistența sa în timpul funcționării de 45mΩ asigură o dissipare eficientă a căldurii, iar subtipul canal îmbogățit îi conferă caracteristici superioare de conducție. Cu o încărcătură poartă de 182nC, acest tranzistor N-MOSFET este o alegere de încredere pentru aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii
G3R45MT17D

Fisa tehnica

Producător
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
438W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
160A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
43A
Tensiune drenă-sursă
1,7kV
1.7kV
Tensiune poartă-sursă
-5...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
45mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
182nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
G3R™
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594858937200
cod EAN13
5945609922504
Cod MPN
G3R45MT17D
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: IRFD210PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,38A; 1W; DIP4
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat