Tranzistorul N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR, model SiC 1,2kV 84A, este un dispozitiv de înaltă performanță, cu tehnologie siliciu carbid (SiC), ce oferă eficiență și fiabilitate superioară în aplicații de putere. Carcasa TO247-3, cu montare prin tehnologie THT, asigură disiparea termică optimă, cu o putere disipată de până la 715W. Acest tranzistor unipolar, cu canal îmbogățit, suportă un curent de drenă continuu de 84A și un curent de drenă în impuls de 295A, la o tensiune maximă drenă-sursă de 1,2kV. Tensiunea poartă-sursă variază între -5V și 20V, iar rezistența în timpul funcționării este redusă, de doar 26mΩ, contribuind la minimizarea pierderilor energetice. Încărcătura poartă de 373nC facilitează un control precis și rapid al comutării. Ambalajul sub formă de tub asigură protecția componentelor în timpul manipulării și instalării. Acest N-MOSFET este ideal pentru sisteme care necesită performanță ridicată, stabilitate și durabilitate în condiții exigente.
Detalii
DIW120SIC028-DIO
Fisa tehnica
Producător
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
715W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
295A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
84A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
26mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
373nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Coduri specifice
cod EAN13
5948383913621
Cod MPN
DIW120SIC028
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.