• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 47A DIOTEC SEMICONDUCTOR TO247-3

DIW170SIC049-DIO
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
145,30 lei
120,08 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR, cu tehnologie SiC, este proiectat pentru performanțe superioare în aplicații ce necesită fiabilitate și eficiență ridicată. Carcasa TO247-3, cu montare THT și ambalaj tip tub, asigură o disipare a puterii de până la 357W, facilitând gestionarea termică optimă. Dispune de un curent de drenă nominal de 47A și un curent de drenă în impuls de 150A, fiind capabil să funcționeze la o tensiune drenă-sursă de 1,7kV. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit garantează o stabilitate excelentă în condiții variate de operare. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 81mΩ, acest tranzistor minimizează pierderile de energie, în timp ce tensiunea poartă-sursă variabilă între -4V și 18V oferă flexibilitate în comanda dispozitivului. Încărcătura poartă de 179nC completează caracteristicile tehnice, făcând acest N-MOSFET o soluție robustă și eficientă pentru cerințe exigente.
Detalii
DIW170SIC049-DIO

Fisa tehnica

Producător
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
357W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
150A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
47A
Tensiune drenă-sursă
1,7kV
Tensiune poartă-sursă
-4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării
81mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
179nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod EAN13
5947145614035
Cod MPN
DIW170SIC049
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.