Tranzistorul N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR, cu tehnologie SiC, este proiectat pentru performanțe superioare în aplicații ce necesită fiabilitate și eficiență ridicată. Carcasa TO247-3, cu montare THT și ambalaj tip tub, asigură o disipare a puterii de până la 357W, facilitând gestionarea termică optimă. Dispune de un curent de drenă nominal de 47A și un curent de drenă în impuls de 150A, fiind capabil să funcționeze la o tensiune drenă-sursă de 1,7kV. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit garantează o stabilitate excelentă în condiții variate de operare. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 81mΩ, acest tranzistor minimizează pierderile de energie, în timp ce tensiunea poartă-sursă variabilă între -4V și 18V oferă flexibilitate în comanda dispozitivului. Încărcătura poartă de 179nC completează caracteristicile tehnice, făcând acest N-MOSFET o soluție robustă și eficientă pentru cerințe exigente.
Detalii
DIW170SIC049-DIO
Fisa tehnica
Producător
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
357W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
150A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
47A
Tensiune drenă-sursă
1,7kV
Tensiune poartă-sursă
-4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării
81mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
179nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Coduri specifice
cod EAN13
5947145614035
Cod MPN
DIW170SIC049
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.