Tranzistorul N-MOSFET EVERLIGHT SiC 650V 110A, ambalat în tub cu carcasă TO247-4-TSC, oferă performanțe superioare datorită tehnologiei Silicon Carbide (SiC) și designului avansat SMD Top Side Cooling cu terminal Kelvin. Cu o putere disipată de 490W și curent de drenă continuu de 110A, acest dispozitiv unipolar îmbogățit suportă impulsuri de curent de până la 220A, asigurând o eficiență ridicată și stabilitate termică optimă. Tensiunea maximă drenă-sursă este de 650V, iar intervalul de tensiune poartă-sursă variază între -5V și 18V. Rezistența în timpul funcționării este redusă la 25mΩ, ceea ce minimizează pierderile de energie. Încărcătura poartă de 240nC facilitează comutarea rapidă, iar montajul THT asigură o instalare robustă. Acest tranzistor N-MOSFET EVERLIGHT este soluția ideală pentru circuite ce necesită performanță ridicată și fiabilitate.
Detalii
EL-MAKR0365XA-TC
Fisa tehnica
Producător
EVERLIGHT
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
490W
Montare
THT
Carcasă
TO247-4-TSC
Caracteristici elemente semiconductoare
SMD Top Side Cooling
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
220A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
110A
Tensiune drenă-sursă
650V
Tensiune poartă-sursă
-5...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării
25mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
240nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Coduri specifice
cod EAN13
5943188630438
Cod MPN
EL-MAKR0365XA-TC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.