Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 85A TO247-3 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 85A în carcasă TO247-3, oferit de SMC DIODE SOLUTIONS, reprezintă o soluție avansată pentru aplicații de înaltă performanță, caracterizată printr-o combinație excelentă între putere și eficiență. Proiectat cu tehnologie Silicon Carbide (SiC), acest dispozitiv asigură o disipare a puterii de 732W și poate susține un curent de drenă continuu de 85A, cu un curent de drenă în impuls de până la 250A. Montajul prin tehnologia THT și ambalajul în tub facilitează integrarea simplă și robustă în diverse sisteme. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit contribuie la stabilitatea funcționării. Tensiunea maximă drenă-sursă de 1,2kV și tensiunea poartă-sursă variabilă între -4V și 18V permit operarea în condiții exigente, în timp ce rezistența în timpul funcționării de doar 25mΩ optimizează performanța și reduce pierderile. Cu o încărcătură a porții de 287nC, acest N-MOSFET asigură un control precis și rapid al comutării, fiind alegerea ideală pentru utilizatorii ce urmăresc fiabilitate și eficiență în aplicațiile electronice de putere.