Tranzistorul N-MOSFET IXYS, cu o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent maxim de drenă de 36A, oferă performanțe de înaltă fiabilitate în aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Carcasa TO247-3, montată prin tehnologia THT, asigură o disipare termică optimă, suportând o putere disipată de până la 650W. Rezistența internă în timpul funcționării este de doar 0,19Ω, ceea ce reduce pierderile și crește eficiența sistemului. Cu o încărcătură a porții de 102nC și un canal de tip îmbogățit, acest N-MOSFET unipolar este proiectat să ofere un control precis și stabil al semnalului. Ambalajul în tub facilitează manevrarea și integrarea în diverse configurații electronice. Produsul IXYS garantează calitate și durabilitate, fiind o alegere solidă pentru proiecte ce impun cerințe ridicate de performanță și rezistență electrică.
Detalii
IXFH36N60P
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
650W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
36A
Tensiune drenă-sursă
600V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,19Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
102nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Coduri specifice
cod EAN13
5941268609657
Cod MPN
IXFH36N60P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.