Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 26A TO-247 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Tranzistorul N-MOSFET SiC 650V 26A TO-247 de la DIOTEC SEMICONDUCTOR reprezintă o soluție avansată și robustă pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Fabricat în tehnologie SiC (carbură de siliciu), acest dispozitiv oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 650V și un curent de drenă continuu de 26A, cu o capacitate de curent în impuls de până la 100A, asigurând astfel o gestionare eficientă a puterii. Carcasa TO-247-3 în format tub și montarea THT garantează o disipare termică optimă, cu o putere disipată de 175W. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 75mΩ și o polarizare unipolară, tranzistorul oferă un control precis și rapid, susținut de o încărcătură a porții de 75nC și o tensiune poartă-sursă variabilă între -5V și 18V. Subtipul canalului îmbogățit contribuie la performanța superioară, iar tipul N-MOSFET asigură compatibilitate largă și eficiență în diverse configurații electronice. Acest component este ideal pentru utilizatorii care caută un tranzistor durabil, eficient și adaptabil cerințelor moderne.