Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 46A TO247-4 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 46A TO247-4 de la SMC DIODE SOLUTIONS reprezintă o soluție avansată, proiectată pentru performanță ridicată și fiabilitate în aplicații exigente. Fabricat în tehnologie SiC, acest dispozitiv asigură o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă nominal de 46A, cu un curent de drenă în impuls impresionant de 223A. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 50 mΩ, tranzistorul optimizează eficiența energetică și reduce pierderile. Ambalat în carcasă TO247-4 și prevăzut cu terminal Kelvin, facilitează răcirea și montajul THT robust. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la control precis și stabil al curentului. Tensiunea poartă-sursă variază între -4V și 18V, iar încărcătura poartă este de 143 nC, oferind un echilibru optim între viteza de comutare și performanța termică. Cu o putere disipată de 130W și ambalaj tip tub, acest N-MOSFET este conceput pentru durabilitate și funcționare stabilă în condiții exigente.