• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
  • Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
  • Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W

Tranzistor N-MOSFET WAYON 600V 26A TO247-3 THT 350W

WMJ53N60F2-CYG
WAYON
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
37,64 lei
31,11 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET WAYON 600V 26A TO247-3 THT este soluția ideală pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate superioară. Fabricat de WAYON, acest tranzistor în carcasă TO247-3, cu montare prin găuri (THT), suportă o putere disipată de până la 350W, asigurând o gestionare eficientă a căldurii în circuite de putere. Cu un curent de drenă nominal de 26A și un curent de drenă în impuls de 90A, acesta face față cu ușurință sarcinilor dinamice și solicitărilor intense. Tensiunea maximă drenă-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±30V oferă o gamă largă de utilizare în circuite de comutație și amplificare. Rezistența de funcționare de 78mΩ optimizează eficiența energetică, reducând pierderile și încălzirea. Tehnologia avansată WMOS™ F2 și canalul îmbogățit asigură o performanță stabilă și o polarizare unipolară de înaltă calitate. Cu o încărcătură a porții de 58nC, tranzistorul răspunde rapid și precis la semnale, fiind perfect pentru aplicații industriale, surse de alimentare, convertoare și drivere de motoare. Un component robust, conceput pentru durabilitate și eficiență în proiectele electronice complexe.
Detalii
WAYON
WMJ53N60F2-CYG

Fisa tehnica

Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
350W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
90A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
26A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
78mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
58nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ F2

Coduri specifice

cod EAN13
5944556503453
Cod MPN
WMJ53N60F2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.