Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 15A 156W TO247 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 15A 156W TO247 de la SMC DIODE SOLUTIONS reprezintă soluția ideală pentru aplicații de mare putere și eficiență ridicată, oferind performanțe superioare datorită tehnologiei pe bază de carbura de siliciu (SiC). Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă continuu de 15A, acest tranzistor asigură fiabilitate și stabilitate în condiții de lucru exigente. Puterea disipată de 156W și curentul de drenă în impuls de 66A îl recomandă pentru utilizări în convertoare de putere, surse de alimentare și sisteme industriale. Montarea prin tehnologia THT în carcasă TO247-4 facilitează integrarea simplă și robustă în diverse echipamente. Caracteristica terminalului Kelvin optimizează performanțele prin reducerea pierderilor și îmbunătățirea răspunsului dinamic. Subtipul canalului îmbogățit și polarizarea unipolară contribuie la un control precis și stabil al curentului. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 212mΩ și o încărcătură a porții de 29,6nC, acest N-MOSFET oferă un echilibru excelent între viteză de comutare și pierderi minime. Tensiunea poartă-sursă variabilă între -5V și 20V permite adaptarea optimă a semnalului de comandă. Tranzistorul este ambalat în tub pentru protecție și manipulare facilă, fiind o alegere perfectă pentru proiecte ce necesită durabilitate și performanță ridicată în domeniul electronicii de putere.