• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3

Tranzistor N-MOSFET 650V 11A TO247-3 DIOTEC

DIW018N65-DIO
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
49,46 lei
40,88 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET 650V 11A TO247-3 DIOTEC este o soluție robustă și eficientă pentru aplicații de comutare și amplificare în domeniul electronicii de putere. Fabricat de DIOTEC SEMICONDUCTOR, acest dispozitiv oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 650V și un curent continuu de drenă de 11A, asigurând performanțe excelente în circuite cu cerințe ridicate. Ambalat în tub și echipat cu o carcasă TO247-3 pentru montare prin găuri (THT), tranzistorul dispune de o putere disipată de 155W, permițând astfel funcționarea stabilă în condiții termice exigente.

Cu o rezistență internă în timpul funcționării de doar 0,18Ω, acest N-MOSFET îmbunătățește eficiența energetică și reduce pierderile de putere. Curentul de drenă în impuls poate atinge 60A, ceea ce îl face ideal pentru aplicații cu sarcini variabile sau impulsive. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit asigură un control precis și rapid al comutării. Tensiunea poartă-sursă suportată este de ±30V, iar încărcătura poartă de 38nC facilitează integrarea în circuite complexe fără compromisuri de performanță. Acest N-MOSFET DIOTEC este alegerea optimă pentru proiecte industriale, surse de alimentare, invertori și alte aplicații ce necesită fiabilitate și performanță la nivel înalt.
Detalii
DIW018N65-DIO

Fisa tehnica

Producător
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
155W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
60A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
11A
Tensiune drenă-sursă
650V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,18Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
38nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5945661518110
Cod MPN
DIW018N65
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.