Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 12A TO247 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 12A TO247 de la SMC DIODE SOLUTIONS este soluția ideală pentru aplicații industriale și de putere ce necesită performanță ridicată și fiabilitate sporită. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent continuu de 12 A, acest dispozitiv asigură operare stabilă în condiții exigente. Tehnologia SiC (carbură de siliciu) conferă o rezistență internă scăzută de 0,3 Ω, optimizând eficiența energetică și reducând pierderile de putere până la 130 W disipate. Ambalat în carcasă TO247-4, montarea prin tehnologia THT facilitează integrarea în sisteme robuste, iar terminalul Kelvin contribuie la performanța termică și electrică superioară.

Cu un curent de drenă în impuls de până la 40 A și o încărcătură a porții de 26,5 nC, tranzistorul răspunde rapid și precis la comenzi, asigurând controlul optim al curentului. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit permit funcționarea stabilă pe o plajă largă de tensiuni poartă-sursă între -5 și 20 V. Acest N-MOSFET este proiectat pentru aplicații care necesită comutare rapidă și eficientă, precum convertoare de putere, surse de alimentare și control motoare. Fiind o soluție compactă și durabilă, reprezintă o alegere excelentă pentru inginerii care caută performanță de top în proiectele lor electronice.