Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 3,7A TO247-4 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,7kV 3,7A TO247-4 de la SMC DIODE SOLUTIONS este o soluție avansată pentru aplicații ce necesită performanțe ridicate și fiabilitate în condiții solicitante. Fabricat cu tehnologie Silicon Carbide (SiC), acest dispozitiv oferă o tensiune maximă de drenă-sursă de 1,7 kV și un curent continuu de drenă de 3,7 A, fiind ideal pentru conversia și controlul energiei la nivel industrial și automotive. Cu o capacitate de disipare a puterii de 81 W și curent de drenă în impuls de 15 A, asigură o operare eficientă și stabilă chiar și în regimuri dinamice.

Carcasa TO247-4, potrivită pentru montare prin găuri (THT), oferă o excelentă disipare termică, iar terminalul Kelvin integrat optimizează performanța și reduce pierderile interne. Tranzistorul are o rezistență în timpul funcționării de doar 1,9 Ω și un subtip canal îmbogățit, garantând un control precis și o polarizare unipolară simplificată. Tensiunea poartă-sursă variază între -5 V și 20 V, iar încărcătura poartă este de 10 nC, facilitând comutarea rapidă și eficientă.

Acest N-MOSFET SiC este ideal pentru aplicații de înaltă tensiune, sisteme de alimentare, invertoare și echipamente industriale care necesită un component robust, cu performanțe superioare și durabilitate sporită. Alegerea perfectă pentru inginerii care urmăresc optimizarea eficienței energetice și reducerea pierderilor în circuite electronice complexe.