Tranzistor N-MOSFET IXYS 1kV 0,8A 60W TO220AB THT unipolar

Tranzistorul N-MOSFET IXYS 1kV 0,8A 60W TO220AB THT unipolar reprezintă o soluție robustă și eficientă pentru aplicații electronice ce necesită comutare și amplificare de putere la înaltă tensiune. Fabricat de IXYS, acest tranzistor oferă o tensiune drenă-sursă de 1000V, asigurând protecție și performanță optimă în circuite cu cerințe ridicate de izolație. Cu un curent maxim de drenă de 0,8A și o putere disipată de 60W, componenta este ideală pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare și aplicații industriale, unde fiabilitatea și stabilitatea termică sunt esențiale. Carcasa TO220AB și montarea prin tehnologia THT facilitează instalarea și disiparea eficientă a căldurii. Rezistența în timpul funcționării de 21Ω și încărcătura poartă de 325nC contribuie la un control precis al semnalului, în timp ce polarizarea unipolară și subtipul canalului sărăcit asigură un răspuns rapid și o eficiență ridicată în comutare. Ambalat în tub pentru protecție suplimentară, acest tranzistor N-MOSFET este alegerea ideală pentru proiecte care necesită performanță și durabilitate în condiții exigente.