Tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES, model StrongIRFET™ 2, este proiectat pentru aplicații industriale și de putere, oferind performanțe superioare și fiabilitate ridicată. Cu o tensiune drenă-sursă de 80V și un curent continuu de drenă de 147A, acest dispozitiv asigură gestionarea eficientă a sarcinilor mari, susținut de o putere disipată de 250W. Carcasa robustă PG-TO220-3 în ambalaj tub (THT) facilitează montarea și disiparea termică optimă. Curentul de drenă în impuls de până la 764A permite utilizarea în condiții dinamice exigente, iar rezistența redusă în timpul funcționării, de doar 1,9mΩ, minimizează pierderile de energie și încălzirea. Tehnologia StrongIRFET™ 2 și canalul îmbogățit unipolar asigură o comutare rapidă și eficientă, în timp ce tensiunea poartă-sursă ±20V și încărcătura poartă de 124nC permit un control precis și stabil al funcționării. Ideal pentru circuite de putere, convertoare, surse de alimentare și aplicații de motoare, acest tranzistor N-MOSFET este soluția optimă pentru proiecte ce necesită performanță, durabilitate și eficiență energetică.
Detalii
IPP019N08NF2SAKMA1
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
250W
Montare
THT
Carcasă
PG-TO220-3
Curent de drenă în impuls
764A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
147A
Tensiune drenă-sursă
80V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,9mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
124nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
StrongIRFET™ 2
Coduri specifice
cod EAN13
5941523696774
Cod MPN
IPP019N08NF2SAKMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.