Tranzistorul N-MOSFET VISHAY 600V 3,5A TO220FP este soluția ideală pentru aplicații de putere medie și înalte cerințe de comutare. Fabricat de VISHAY, acest dispozitiv unipolar în carcasă TO220FP, cu montare prin găuri (THT), oferă o putere disipată de până la 60W, asigurând performanță și durabilitate în condiții exigente. Cu un curent maxim de drenă de 3,5A și o tensiune drenă-sursă de 600V, tranzistorul este potrivit pentru circuite care necesită fiabilitate și eficiență energetică. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit contribuie la o răspuns rapid și stabil, în timp ce rezistența în timpul funcționării de doar 0,75Ω minimizează pierderile și încălzirea. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și încărcătura poartă de 49nC permit control precis și eficient al comutării. Ambalajul sub formă de tub facilitează manipularea și integrarea în procesele de asamblare. Acest tranzistor N-MOSFET VISHAY este alegerea optimă pentru proiecte electronice care necesită un echilibru între performanță, fiabilitate și cost.
Detalii
IRFIB6N60APBF
Fisa tehnica
Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
60W
Montare
THT
Carcasă
TO220FP
Polarizare
unipolar
Curent drenă
3,5A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,75Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
49nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Coduri specifice
cod EAN13
5940366831335
Cod MPN
IRFIB6N60APBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.