Tranzistorul N-MOSFET 120V 100A 168W PG-TO262-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este o soluție robustă și performantă pentru aplicații de putere ridicată. Conceput pe tehnologia avansată OptiMOS™ 3, acest dispozitiv unipolar oferă o combinație optimă între eficiență și fiabilitate. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 120V și un curent de drenă de până la 100A, tranzistorul suportă sarcini electrice intensive, fiind ideal pentru convertoare, controlere de motor și surse de alimentare. Puterea disipată de 168W asigură o funcționare stabilă chiar și în condiții solicitante, în timp ce rezistența scăzută în timpul funcționării, de doar 7,6mΩ, reduce pierderile de energie și crește eficiența sistemului. Montarea prin tehnologia THT în carcasă PG-TO262-3 facilitează integrarea în diverse configurații industriale. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit oferă un control precis și rapid al comutării. Tensiunea poartă-sursă de ±20V conferă o protecție suplimentară și stabilitate în funcționare. Acest N-MOSFET reprezintă alegerea ideală pentru proiecte ce necesită performanță superioară, durabilitate și optimizare energetică.
Detalii
IPI076N12N3GAKSA1
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
168W
Montare
THT
Carcasă
PG-TO262-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
100A
Tensiune drenă-sursă
120V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
7,6mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
OptiMOS™ 3
Coduri specifice
cod EAN13
5946652630255
Cod MPN
IPI076N12N3GAKSA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.