Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 3,7A TO247 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,7kV 3,7A TO247, fabricat de SMC DIODE SOLUTIONS, este soluția ideală pentru aplicații industriale și de putere care necesită performanță ridicată și eficiență sporită. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,7 kV și un curent de drenă continuu de 3,7 A, acest dispozitiv asigură o fiabilitate excelentă în condiții de lucru solicitante. Tehnologia pe bază de carbura de siliciu (SiC) oferă o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 1,9 Ω, ceea ce contribuie la minimizarea pierderilor energetice și la disiparea termică optimă, până la 81W. Designul în carcasă TO247-3 și montajul THT facilitează integrarea în circuite prin tub, asigurând o conexiune robustă și stabilă. Cu un curent de drenă în impuls de 15 A și o tensiune poartă-sursă variabilă între -5 și 20 V, tranzistorul oferă o polarizare unipolară și un comportament predictibil în regim de comutare. Încărcătura poartă de 10nC și subtipul canalului îmbogățit permit control precis și rapid al semnalului. Acest N-MOSFET reprezintă o soluție avansată pentru proiecte ce necesită comutare rapidă, eficiență energetică și durabilitate, fiind recomandat pentru invertoare, surse de alimentare și sisteme de control industrial.