Tranzistorul N-MOSFET PanJit 100V 120A, în carcasă TO220 THT, este soluția ideală pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și gestionare eficientă a puterii. Fabricat de PanJit Semiconductor, acest dispozitiv unipolar cu canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 100V și un curent continuu de drenă de 120A, asigurând performanță ridicată chiar și în condiții solicitante. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 7mΩ, reduce pierderile și crește eficiența energetică a circuitelor. Puterea disipată de 138W permite utilizarea în aplicații cu încărcări mari, iar curentul de drenă în impuls de 480A face față fără probleme vârfurilor de sarcină. Tensiunea poartă-sursă ±20V și încărcătura poartă de 53nC facilitează un control precis și rapid al comutării. Ambalajul în tub și montarea prin tehnologia THT, în carcasă TO220ABL, asigură o instalare robustă și fiabilă. Tranzistorul PanJit este alegerea potrivită pentru proiecte industriale, surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice ce necesită un MOSFET puternic și durabil.