Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9,2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9,2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9,2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB

Tranzistor VISHAY N-MOSFET 500V 9,2A SIHP15N50E-GE3 TO220AB

SIHP15N50E-GE3
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9,2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
21,09 lei
17,43 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor VISHAY N-MOSFET 500V 9,2A SIHP15N50E-GE3 TO220AB este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și gestionare eficientă a puterii. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune drenă-sursă de 500V și un curent de drenă continuu de 9,2A, asigurând o funcționare stabilă în condiții exigente. Cu o putere disipată de 156W și o rezistență în timpul funcționării de doar 0,28Ω, oferă eficiență ridicată și fiabilitate pe termen lung.


  • Producător: VISHAY

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 156W

  • Montare: THT

  • Carcasă: TO220AB

  • Curent de drenă în impuls: 28A

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 9,2A

  • Tensiune drenă-sursă: 500V

  • Tensiune poartă-sursă: ±30V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,28Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 66nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET


Carcasa TO220AB și montarea THT facilitează integrarea ușoară în circuite, iar caracteristicile tehnice îl recomandă pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice ce necesită control precis al puterii.
Detalii
SIHP15N50E-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
156W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Curent de drenă în impuls
28A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
9,2A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,28Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
66nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5947807246116
Cod MPN
SIHP15N50E-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: