Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK60Z 600V 20A TO220-3

Tranzistorul N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK60Z este proiectat pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent de drenă în impuls de 20A, acest dispozitiv este ideal pentru circuite de putere și comutare.

• Producător: STMicroelectronics


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 90W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO220-3


• Curent de drenă în impuls: 20A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 3,16A


• Tensiune drenă-sursă: 600V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 1,6Ω


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 34nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Tehnologie: SuperMesh™

Datorită tehnologiei SuperMesh™, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o disipare termică optimă, fiind potrivit pentru aplicații industriale și electronice de înaltă performanță. Carcasa TO220-3 facilitează montarea THT și asigură o răcire eficientă în condiții de funcționare intensă.