• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET 500V 37.8A 560W MAX247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 500V 37.8A 560W MAX247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 500V 37.8A 560W MAX247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 500V 37.8A 560W MAX247

STY60NM50
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37,8A; 560W; MAX247
160,70 lei
132,81 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 37,8A 560W MAX247, STY60NM50 de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor impresionează cu caracteristici remarcabile, precum tehnologia MDmesh™ care asigură performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

Cu o putere disipată de 560W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de mare putere, fiind ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. De asemenea, caracteristica de polarizare unipolară îl face potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 50mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență ridicată și o performanță excelentă în condiții de funcționare extreme. Subtipul canalului îmbogățit și tipul N-MOSFET îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o conducere eficientă a curentului.

Tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 37,8A 560W MAX247, STY60NM50 de la STMicroelectronics este soluția perfectă pentru proiectele electronice care necesită un dispozitiv puternic, fiabil și eficient din punct de vedere energetic. Optați pentru calitate și performanță cu acest tranzistor de înaltă performanță!
Detalii
STY60NM50

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
560W
Montare
THT
Carcasă
MAX247
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
37,8A
37.8A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
50mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
MDmesh™

Coduri specifice

cod UPC
594087144547
cod EAN13
5944401145593
Cod MPN
STY60NM50
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 17A 79W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: IRF530NPBF

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 17A 79W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
8,26 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 17A 79W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc