• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A

UJ3C065080T3S
UnitedSiC
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; în cascadă; 650V; 23A
0,00 lei
0,00 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul UnitedSiC N-JFET/N-MOSFET SiC unipolar în cascadă 650V 23A, UJ3C065080T3S este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici remarcabile. Acest tranzistor beneficiază de tehnologia avansată SiC și este montat în carcasă TO220-3. Cu o putere disipată de 190W, acesta poate suporta un curent de drenă în impuls de până la 65A. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu un curent de drenă de 23A și o tensiune drenă-sursă de 650V, acest tranzistor oferă performanțe excelente. Rezistența sa în timpul funcționării este de doar 80mΩ, iar încărcătura poartă este de 51nC. Acest tranzistor N-JFET/N-MOSFET în cascadă este soluția ideală pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică.
Detalii
UJ3C065080T3S

Fisa tehnica

Producător
Qorvo (UnitedSiC)
UnitedSiC
Putere disipată
190W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Curent de drenă în impuls
65A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
23A
Tensiune drenă-sursă
650V
Tensiune poartă-sursă
±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
80mΩ
Încărcătură poartă
51nC
Tip tranzistor
N-JFET/N-MOSFET
Subtip tranzistor
în cascadă
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594501186733
cod EAN13
5940865957864
Cod MPN
UJ3C065080T3S
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: